řada: IMLT65 MOSFET IMLT65R033M2HXTMA1 Typ N-kanálový 68 A 650 V, PG-HDSOP-16 Infineon, počet kolíků: 16 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 351-949
- Výrobní číslo:
- IMLT65R033M2HXTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
241,57 Kč
(bez DPH)
292,30 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 800 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 241,57 Kč |
| 10 - 99 | 217,36 Kč |
| 100 + | 200,32 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 351-949
- Výrobní číslo:
- IMLT65R033M2HXTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 68A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Výkon | 312W | |
| Řada | IMLT65 | |
| Typ balení | PG-HDSOP-16 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 16 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 2.35mm | |
| Délka | 10.1mm | |
| Normy/schválení | JEDEC | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 68A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Výkon 312W | ||
Řada IMLT65 | ||
Typ balení PG-HDSOP-16 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 16 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 2.35mm | ||
Délka 10.1mm | ||
Normy/schválení JEDEC | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Diskrétní tranzistory Infineon CoolSiC MOSFET 2. generace (G2) v TOLT využívají nejlepší spínací výkon ve své třídě a zároveň umožňují všechny výhody chlazení na horní straně. Doplněním pouzdra Q-DPAK je nyní možné realizovat celkové diskrétní řešení chlazení horní strany, čímž se dosáhne lepšího tepelného výkonu, snížení a zjednodušení nákladů na systém a levnější montáže.
Umožňuje úsporu kusovníku
Nejvyšší spolehlivost
Umožňuje nejvyšší účinnost a hustotu výkonu
Zjednodušuje montáž a chlazení
Připraveno na chlazení kapalinou
Umožňuje konstrukce bez ventilátoru nebo chladiče
Nižší bludné indukčnosti
Lepší ovládání brány
Související odkazy
- řada: IMLT65 MOSFET IMLT65R026M2HXTMA1 Typ N-kanálový 82 A 650 V počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: IGLT65 MOSFET IGLT65R025D2AUMA1 Typ N-kanálový 67 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMLT65R015M2HXTMA1 Typ N-kanálový 142 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMLT65R020M2HXTMA1 Typ N-kanálový 107 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMLT65R060M2HXTMA1 Typ N-kanálový 96 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMLT65R040M2HXTMA1 Typ N-kanálový 57 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMLT65R050M2HXTMA1 Typ N-kanálový 47 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: IGLT65 MOSFET IGLT65R110D2ATMA1 Typ N-kanálový 15 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový