řada: IGOT65 MOSFET IGOT65R045D2AUMA1 N-kanálový 34 A 650 V Infineon, PG-DSO-20, počet kolíků: 20 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 351-880
- Výrobní číslo:
- IGOT65R045D2AUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
207,23 Kč
(bez DPH)
250,75 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 799 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 207,23 Kč |
| 10 - 99 | 186,49 Kč |
| 100 - 499 | 171,91 Kč |
| 500 - 999 | 159,56 Kč |
| 1000 + | 143,26 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 351-880
- Výrobní číslo:
- IGOT65R045D2AUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 34A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | PG-DSO-20 | |
| Řada | IGOT65 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 20 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.054Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 109W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 10V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | JEDEC | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 34A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení PG-DSO-20 | ||
Řada IGOT65 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 20 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.054Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 109W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 10V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení JEDEC | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- ID
Výkonový tranzistor GaN společnosti Infineon umožňuje zvýšit účinnost při vysokofrekvenčním provozu. Jako součást rodiny CoolGaN 650 V G5 splňuje nejvyšší standardy kvality, což umožňuje vysoce spolehlivé konstrukce s vynikající účinností. Je umístěn v pouzdře DSO s chlazením shora a je navržen pro optimální rozptyl energie v různých průmyslových aplikacích.
výkonový tranzistor e-mode 650 V
Ultrarychlé přepínání
Žádný poplatek za zpětné vymáhání
Schopnost zpětného vedení
Nízký náboj hradla, nízký výstupní náboj
Vynikající odolnost komutace
Nízká dynamika RDS(zapnuto)
Vysoká odolnost proti ESD: 2 kV HBM - 1 kV CDM
Chlazený balíček na horní straně
Kvalifikace JEDEC (JESD47, JESD22)
Související odkazy
- řada: IGOT65 MOSFET IGOT65R035D2AUMA1 N-kanálový 44 A 650 V Infineon počet kolíků: 20 kolíkový Vylepšení
- řada: IGOT65 MOSFET IGOT65R025D2AUMA1 N-kanálový 61 A 650 V Infineon počet kolíků: 20 kolíkový Vylepšení
- řada: IGOT65 MOSFET IGOT65R055D2AUMA1 N-kanálový 28 A 650 V Infineon počet kolíků: 20 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolGaN Výkonový tranzistor IGO60R070D1AUMA2 60 A 600 V Infineon počet kolíků: 20 kolíkový
- řada: CoolGaN Výkonový tranzistor 60 A 600 V Infineon počet kolíků: 20 kolíkový Vylepšení
- Infineon MOSFET 1ED3241MC12HXUMA1 MOSFET 18 A PG-DSO
- Infineon MOSFET 1ED3250MC12HXUMA1 MOSFET 10 A PG-DSO
- Infineon MOSFET 1ED3251MC12HXUMA1 MOSFET 18 A PG-DSO