řada: IQF Výkonový tranzistor IQFH55N04NM6ATMA1 N-kanálový 451 A 40 V Infineon, PG-TSON-12, počet kolíků: 12 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 349-390
- Výrobní číslo:
- IQFH55N04NM6ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
232,92 Kč
(bez DPH)
281,84 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 3 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 116,46 Kč | 232,92 Kč |
| 20 - 198 | 104,73 Kč | 209,46 Kč |
| 200 - 998 | 96,575 Kč | 193,15 Kč |
| 1000 - 1998 | 89,66 Kč | 179,32 Kč |
| 2000 + | 80,275 Kč | 160,55 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 349-390
- Výrobní číslo:
- IQFH55N04NM6ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | Výkonový tranzistor | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 451A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | PG-TSON-12 | |
| Řada | IQF | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 12 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.55mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 214W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 118nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu Výkonový tranzistor | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 451A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení PG-TSON-12 | ||
Řada IQF | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 12 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.55mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 214W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 118nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Výkonový tranzistor Infineon OptiMOS 6, 40 V je speciálně optimalizován pro nízkonapěťové aplikace a systémy napájené z baterií, takže je ideální pro energeticky účinné konstrukce. Je také optimalizován pro synchronní aplikace, což zajišťuje vyšší výkon. MOSFET se vyznačuje velmi nízkým zapínacím odporem (RDS(on)), což minimalizuje ztráty při vedení a zvyšuje účinnost. Navíc je 100% lavinově testován, což zaručuje spolehlivý výkon v náročných podmínkách.
Vynikající tepelná odolnost
N kanál
Bezolovnaté pokovení a splnění požadavků RoHS
Bezhalogenové podle IEC61249-2-21
Související odkazy
- řada: ISC Výkonový tranzistor ISC037N13NM6ATMA1 N-kanálový 172 A 135 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS-TM6 MOSFET IQFH36N04NM6ATMA1 N-kanálový 656 A 40 V Infineon počet kolíků: 12 kolíkový
- řada: OptiMOS Výkonový MOSFET IQFH61N06NM5ATMA1 N-kanálový 510 A 60 V Infineon počet kolíků: 12 kolíkový
- řada: OptiMOS Výkonový MOSFET IQFH86N06NM5ATMA1 N-kanálový 394 A 60 V Infineon počet kolíků: 12 kolíkový
- řada: OptiMOS Výkonový MOSFET IQFH99N06NM5ATMA1 N-kanálový 339 A 60 V Infineon počet kolíků: 12 kolíkový
- řada: OptiMOS Výkonový MOSFET IQFH68N06NM5ATMA1 N-kanálový 460 A 60 V Infineon počet kolíků: 12 kolíkový
- řada: CoolGaN G5 Jednoduché tranzistory MOSFET IGL65R110D2XUMA1 N-kanálový 30 A 650 V Infineon počet kolíků:
- řada: CoolGaN G5 Jednoduché tranzistory MOSFET IGL65R140D2XUMA1 N-kanálový 30 A 650 V Infineon počet kolíků: