řada: IMT MOSFET IMTA65R050M2HXTMA1 N-kanálový 43 A 650 V Infineon, PG-LHSOF-4, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 349-058
- Výrobní číslo:
- IMTA65R050M2HXTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
188,46 Kč
(bez DPH)
228,04 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 29. září 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 188,46 Kč |
| 10 - 99 | 169,94 Kč |
| 100 - 499 | 156,10 Kč |
| 500 - 999 | 145,24 Kč |
| 1000 + | 129,92 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 349-058
- Výrobní číslo:
- IMTA65R050M2HXTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 43A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | IMT | |
| Typ balení | PG-LHSOF-4 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 62mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 197W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 43A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada IMT | ||
Typ balení PG-LHSOF-4 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 62mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 197W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 je postaven na robustní příkopové technologii 2. generace karbidu křemíku společnosti Infineon, která nabízí bezkonkurenční výkon, vynikající spolehlivost a mimořádně snadné použití. Tento tranzistor MOSFET umožňuje nákladově efektivní, vysoce účinné a zjednodušené konstrukce, takže je ideální pro splnění stále rostoucích požadavků moderních energetických systémů a trhů. Jeho pokročilá technologie poskytuje výkonné řešení pro dosažení vysoké účinnosti systému v široké škále aplikací.
Velmi nízké spínací ztráty
Odolnost proti parazitnímu zapnutí i při vypínacím napětí 0 V na hradle
Flexibilní řídicí napětí a kompatibilita s bipolárním řídicím schématem
Robustní provoz tělesové diody při tvrdých komutačních událostech
Technologie propojení .XT pro nejlepší tepelný výkon ve své třídě
Související odkazy
- řada: IMT MOSFET IMTA65R020M2HXTMA1 N-kanálový 77 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMTA65R040M2HXTMA1 Typ N-kanálový 54 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMTA65R060M2HXTMA1 N-kanálový 37 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPTA60R180CM8XTMA1 Typ N-kanálový 18 A 600 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA65R040M2HXKSA1 Typ N-kanálový 46 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA65R020M2HXKSA1 N-kanálový 83 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA65R050M2HXKSA1 N-kanálový 38 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: IMZA65 MOSFET IMZA65R060M2HXKSA1 N-kanálový 32.8 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení