řada: IPD MOSFET IPDQ60T022S7XTMA1 N-kanálový 90 A 600 V Infineon, PG-HDSOP-22, počet kolíků: 22 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 348-998
- Výrobní číslo:
- IPDQ60T022S7XTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
344,07 Kč
(bez DPH)
416,32 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 750 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 344,07 Kč |
| 10 - 99 | 309,74 Kč |
| 100 + | 285,78 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 348-998
- Výrobní číslo:
- IPDQ60T022S7XTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 90A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | IPD | |
| Typ balení | PG-HDSOP-22 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 22 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 22mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 0.82V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 416W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | JEDEC, JS-001, RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 90A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada IPD | ||
Typ balení PG-HDSOP-22 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 22 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 22mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 0.82V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 416W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení JEDEC, JS-001, RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolMOS S7T umožňuje nejlepší cenový výkon pro nízkofrekvenční spínací aplikace. Vestavěný teplotní senzor zvyšuje přesnost a robustnost snímání teploty spoje při zachování snadné a bezproblémové implementace. CoolMOS S7T je optimalizován pro statické spínání a aplikace s vysokým proudem. Nový teplotní senzor vylepšuje vlastnosti S7 a umožňuje co nejlepší využití výkonového tranzistoru.
Zvýšený výkon systému
Zvýšený výkon systému
Kompaktnější a jednodušší design
Nižší pořizovací náklady nebo TCO po delší dobu životnosti
Větší spolehlivost a delší životnost systému
Související odkazy
- řada: IPD MOSFET IPDQ60T017S7XTMA1 Typ N-kanálový 113.3 A 600 V Infineon počet kolíků: 22 kolíkový
- řada: IPD MOSFET IPDQ60R007CM8XTMA1 Typ N-kanálový 288 A 600 V Infineon počet kolíků: 22 kolíkový
- AEC-Q101 PG-HDSOP-22, počet kolíků: 22 kolíkový
- AEC-Q101 PG-HDSOP-22, počet kolíků: 22 kolíkový
- AEC-Q101 PG-HDSOP-22, počet kolíků: 22
- řada: IPQ MOSFET IPQC60T017S7XTMA1 Typ N-kanálový 30 A 600 V Infineon počet kolíků: 22 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMDQ75R027M1HXUMA1 Typ N-kanálový 64 A 750 V Infineon počet kolíků: 22 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMDQ75R016M1HXUMA1 Typ N-kanálový 98 A 750 V Infineon počet kolíků: 22 kolíkový