řada: CoolMOS CM8 Výkonový MOSFET IPDQ60R016CM8XTMA1 N-kanálový 135 A 600 V Infineon, PG-HDSOP-22, počet kolíků: 22
- Skladové číslo RS:
- 348-994
- Výrobní číslo:
- IPDQ60R016CM8XTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
447,32 Kč
(bez DPH)
541,26 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 596 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 447,32 Kč |
| 10 - 99 | 402,86 Kč |
| 100 + | 371,49 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 348-994
- Výrobní číslo:
- IPDQ60R016CM8XTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 135A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | CoolMOS CM8 | |
| Typ balení | PG-HDSOP-22 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 22 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 16mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 625W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 171nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | JEDECforIndustrialApplications, RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 135A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada CoolMOS CM8 | ||
Typ balení PG-HDSOP-22 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 22 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 16mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 625W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 171nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení JEDECforIndustrialApplications, RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Platforma Infineon CoolMOS 8. generace je revoluční technologie pro vysokonapěťové výkonové tranzistory MOSFET, navržená podle principu superjunction(SJ) a poprvé vyvinutá společností Infineon Technologies. Řada CoolMOS CM8 600V je nástupcem CoolMOS 7. Spojuje výhody rychle spínaného SJ MOSFETu s vynikající snadností použití, např. nízkou tendencí k vyzvánění, implementovanou rychlou tělesovou diodou pro všechny výrobky s vynikající odolností proti tvrdé komutaci a vynikající schopností ESD. Extrémně nízké spínací a vodivé ztráty CM8 navíc ještě více zefektivňují spínací aplikace.
Vhodné pro topologie s tvrdým i měkkým spínáním
Snadné použití a rychlý design díky nízké tendenci zvonění
Zjednodušená správa tepla díky naší pokročilé technice připevnění matrice
Vhodné pro širokou škálu aplikací a výkonových rozsahů
Řešení se zvýšenou hustotou výkonu umožněná použitím výrobků s menšími rozměry
Související odkazy
- řada: 600V CoolMOS MOSFET IPDQ60R015CFD7XTMA1 Typ N-kanálový 149 A 600 V Infineon počet kolíků: 22
- řada: 600V CoolMOS MOSFET IPQC60R010S7XTMA1 Typ N-kanálový 50 A 600 V Infineon počet kolíků: 22 kolíkový
- řada: CoolMOSTM8thgeneration MOSFET IPDQ60R037CM8XTMA1 Typ N-kanálový 65 A 600 V Infineon počet kolíků: 22
- řada: CoolSiC MOSFET IMDQ75R027M1HXUMA1 Typ N-kanálový 64 A 750 V Infineon počet kolíků: 22 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMDQ75R016M1HXUMA1 Typ N-kanálový 98 A 750 V Infineon počet kolíků: 22 kolíkový
- řada: IPQC60 MOSFET IPQC60T010S7XTMA1 Typ N-kanálový 174 A 600 V Infineon počet kolíků: 22 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMDQ75R040M1HXUMA1 Typ N-kanálový 47 A 750 V Infineon počet kolíků: 22 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMDQ75R090M1HXUMA1 Typ N-kanálový 24 A 750 V Infineon počet kolíků: 22 kolíkový