řada: ISA MOSFET ISA170170N04LMDSXTMA1 Duální N-kanálový 9.6 A 40 V Infineon, PG-DSO-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 348-912
- Výrobní číslo:
- ISA170170N04LMDSXTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
664,44 Kč
(bez DPH)
803,98 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 3 920 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 33,222 Kč | 664,44 Kč |
| 200 - 480 | 31,555 Kč | 631,10 Kč |
| 500 - 980 | 29,183 Kč | 583,66 Kč |
| 1000 - 1980 | 26,96 Kč | 539,20 Kč |
| 2000 + | 25,923 Kč | 518,46 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 348-912
- Výrobní číslo:
- ISA170170N04LMDSXTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Duální N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 9.6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | PG-DSO-8 | |
| Řada | ISA | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 17mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.5W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | JEDEC Standard | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Duální N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 9.6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení PG-DSO-8 | ||
Řada ISA | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 17mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení JEDEC Standard | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový tranzistor Infineon OptiMOS 3 je dvoukanálový N-kanálový tranzistor MOSFET s logickou úrovní, určený pro vysoce výkonné výkonové aplikace. Vyznačuje se velmi nízkým zapínacím odporem (RDS(on)), což pomáhá snižovat ztráty při vedení a zvyšovat celkovou účinnost systému. Tranzistor navíc nabízí vynikající tepelnou odolnost, což zajišťuje lepší řízení tepla a spolehlivost v náročných podmínkách. Díky této kombinaci vlastností je ideální pro aplikace vyžadující efektivní spínání a tepelný výkon.
100% lavinový test
Bezolovnaté pokovení a splnění požadavků RoHS
Bezhalogenové podle IEC61249-2-21
Související odkazy
- řada: ISA MOSFET ISA170230C04LMDSXTMA1 Typ N PG-DSO-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: ISA Výkonový tranzistor ISA250250N04LMDSXTMA1 Duální N-kanálový 7.9 A 40 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: ISA MOSFET ISA250300C04LMDSXTMA1 Typ N PG-DSO-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: ISA MOSFET ISA150233C03LMDSXTMA Typ N PG-DSO-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- Infineon MOSFET 1EDB8275FXUMA1 MOSFET 1 5.6 A PG-DSO-8
- Infineon MOSFET 1ED3241MC12HXUMA1 MOSFET 18 A PG-DSO
- Infineon MOSFET 1ED3250MC12HXUMA1 MOSFET 10 A PG-DSO
- Infineon MOSFET 1ED3251MC12HXUMA1 MOSFET 18 A PG-DSO