Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	45A
	Maximální napětí na zdroji Vds	1700V
	Typ balení	TO-247-4L
	Řada	EliteSiC
	Počet kolíků	4
	Maximální odpor zdroje Rds	76mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	4.3V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	25 V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	105nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	333W
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	Pb-Free and RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 45A
	Maximální napětí na zdroji Vds 1700V
	Typ balení TO-247-4L
	Řada EliteSiC
	Počet kolíků 4
	Maximální odpor zdroje Rds 76mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 4.3V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 25 V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 105nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 333W
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení Pb-Free and RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - NVH4L050N170M1

Země původu (Country of Origin):: CN

Vysokonapěťový výkonový tranzistor MOSFET od společnosti ON Semiconductor je určen pro efektivní spínací aplikace, zajišťuje nízké ztráty při vedení a spolehlivý provoz. Jeho pokročilý obal zajišťuje vynikající tepelný výkon, takže je vhodný do náročných prostředí. Tento přístroj nabízí vyšší výkon a optimalizované elektrické vlastnosti.

TO 247 4L balíček

Vyhovuje RoHS

Bez Pb

řada: EliteSiC MOSFET NVH4L050N170M1 Typ N-kanálový 45 A 1700 V onsemi, TO-247-4L, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Související odkazy