MPN

řada: PD70224 MOSFET PD70224ILQ-TR N-kanálový 2 A 74 V Microchip, QFN, počet kolíků: 40 kolíkový

Skladové číslo RS:: 333-012
Výrobní číslo:: PD70224ILQ-TR
Výrobce:: Microchip

řada: PD70224 MOSFET PD70224ILQ-TR N-kanálový 2 A 74 V Microchip, QFN, počet kolíků: 40 kolíkový

Mezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*

193 846,00 Kč

(bez DPH)

234 554,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 16. července 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2000 +	96,923 Kč	193 846,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 333-012
Výrobní číslo:: PD70224ILQ-TR
Výrobce:: Microchip

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Microchip
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	2A
	Maximální napětí na zdroji Vds	74V
	Typ balení	QFN
	Řada	PD70224
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	40
	Maximální odpor zdroje Rds	0.26Ω
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Přímé napětí Vf	192mV
	Minimální provozní teplota	-40°C
	Maximální provozní teplota	125°C
	Šířka	8mm
	Výška	1mm
	Délka	6mm
	Normy/schválení	IEEE 802.3af and IEEE 802.3at, IEEE 802.3bt and PoH, RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Microchip
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2A
	Maximální napětí na zdroji Vds 74V
	Typ balení QFN
	Řada PD70224
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 40
	Maximální odpor zdroje Rds 0.26Ω
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Přímé napětí Vf 192mV
	Minimální provozní teplota -40°C
	Maximální provozní teplota 125°C
	Šířka 8mm
	Výška 1mm
	Délka 6mm
	Normy/schválení IEEE 802.3af and IEEE 802.3at, IEEE 802.3bt and PoH, RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - PD70224ILQ-TR

Microchip Dual pack usměrňovačů s plným můstkem na bázi MOSFET. Obsahuje tranzistory MOSFET s nízkým Rds 0,16Ω N kanálu pro mnohem vyšší celkovou účinnost a vyšší výstupní výkon, zejména při použití v napájených zařízeních (PD) pro aplikace PoE. Veškeré řídicí obvody pro řízení tranzistorů MOSFET jsou umístěny na čipu, včetně nábojové pumpy pro řízení tranzistorů MOSFET s vysokým N kanálem.

Aktivní obvod s nízkým dopředným úbytkem, který nahrazuje rozptylové pasivní diodové můstky

Samostatné řídicí obvody pro tranzistory MOSFET

Navrženo pro podporu IEEE-802.3af / at / bt a PoH

Integrované N-kanálové tranzistory MOSFET s odporem 0,16 ohmů pro celkový odpor cesty 0,3 ohmů

Indikátory přítomnosti napájení pro identifikaci napájení 4 párů můstků

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.