řada: STL MOSFET STL165N10F8AG N-kanálový 158 A 100 V STMicroelectronics, PowerFLAT, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 330-476
- Výrobní číslo:
- STL165N10F8AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
75,88 Kč
(bez DPH)
91,81 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 938 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 75,88 Kč |
| 10 - 99 | 68,60 Kč |
| 100 - 499 | 62,83 Kč |
| 500 - 999 | 58,88 Kč |
| 1000 + | 52,21 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 330-476
- Výrobní číslo:
- STL165N10F8AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 158A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | PowerFLAT | |
| Řada | STL | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.2mΩ | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 90nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 167W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 1mm | |
| Délka | 6.4mm | |
| Šířka | 5.2mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 158A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení PowerFLAT | ||
Řada STL | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.2mΩ | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 90nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 167W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 1mm | ||
Délka 6.4mm | ||
Šířka 5.2mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výjimka
- Země původu (Country of Origin):
- CN
N-kanálový výkonový tranzistor MOSFET s vylepšeným režimem od společnosti STMicroelectronics, navržený technologií STripFET F8, se zdokonalenou strukturou příkopového hradla. Poskytuje nejmodernější parametry s velmi nízkým odporem v zapnutém stavu, sníženými vnitřními kapacitami a náplní hradla, což umožňuje rychlejší a efektivnější spínání.
100% lavinový test
Nízký náboj hradla Qg
Související odkazy
- řada: STL Mosfetový kanál N STL160N4F8 N-kanálový 154 A 40 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: STL MOSFET STL300N4F8 N-kanálový 290 A 40 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: STL MOSFET STL300N4LF8 N-kanálový 304 A 40 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: STL MOSFET N-kanálový 167 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení N-kanál
- řada: STL Výkonový MOSFET STL270N6LF7 N-kanálový 268 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: Stl Výkonový MOSFET STL140N4LF8 N-kanálový 144 A 40 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: STL MOSFET STL170N4LF8 N-kanálový 167 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: STL Výkonový MOSFET STL220N4F8 N-kanálový 203 A 40 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový