řada: STF MOSFET STF80N1K1K6 N-kanálový 5 A 800 V STMicroelectronics, TO-220FP, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 330-450
- Výrobní číslo:
- STF80N1K1K6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
1 118,00 Kč
(bez DPH)
1 353,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 950 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 22,36 Kč | 1 118,00 Kč |
| 500 - 950 | 21,242 Kč | 1 062,10 Kč |
| 1000 + | 19,677 Kč | 983,85 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 330-450
- Výrobní číslo:
- STF80N1K1K6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Řada | STF | |
| Typ balení | TO-220FP | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.1Ω | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 5.7nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 21W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 9.3mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4.6mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Řada STF | ||
Typ balení TO-220FP | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.1Ω | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 5.7nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 21W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 9.3mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4.6mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výjimka
Vysokonapěťový N-kanálový výkonový tranzistor MOSFET společnosti STMicroelectronics je navržen s využitím špičkové technologie MDmesh K6, která vychází z 20 let zkušeností společnosti STMicroelectronics s technologií superjunction. Výsledkem je nejlepší odpor při zapnutí na plochu a náboj hradla pro aplikace vyžadující vynikající hustotu výkonu a vysokou účinnost.
Velmi nízký náboj brány
Zenerova ochrana
Související odkazy
- řada: STF MOSFET N-kanálový 5 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STF MOSFET N-kanálový 10 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STF MOSFET N-kanálový 7 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STF MOSFET N-kanálový 16 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STF MOSFET N-kanálový 12 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STF MOSFET STF80N600K6 N-kanálový 7 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STF MOSFET STF80N340K6 N-kanálový 12 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STF MOSFET STF80N450K6 N-kanálový 10 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový