řada: PD5 MOSFET PD57018-E Typ N-kanálový 2.5 A 65 V STMicroelectronics, PowerSO-10RF, počet kolíků: 10 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 330-355
- Výrobní číslo:
- PD57018-E
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 330-355
- Výrobní číslo:
- PD57018-E
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 65V | |
| Řada | PD5 | |
| Typ balení | PowerSO-10RF | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 10 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.76Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 31.7W | |
| Minimální provozní teplota | 65°C | |
| Maximální provozní teplota | 165°C | |
| Normy/schválení | J-STD-020B | |
| Výška | 3.6mm | |
| Délka | 14.35mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 65V | ||
Řada PD5 | ||
Typ balení PowerSO-10RF | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 10 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.76Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 31.7W | ||
Minimální provozní teplota 65°C | ||
Maximální provozní teplota 165°C | ||
Normy/schválení J-STD-020B | ||
Výška 3.6mm | ||
Délka 14.35mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Tranzistor STMicroelectronics RF POWER je N-kanálový výkonový tranzistor se společným zdrojem a bočním polním efektem. Je určen pro širokopásmové komerční a průmyslové aplikace s vysokým ziskem. Pracuje s napětím 28 V v režimu společného zdroje při frekvencích až 1 GHz. Zařízení se může pochlubit vynikajícím ziskem, linearitou a spolehlivostí nejnovější technologie LDMOS společnosti ST, která je umístěna v prvním skutečném plastovém pouzdře SMD pro vf napájení, PowerSO-10RF. Vynikající linearita zařízení z něj činí ideální řešení pro aplikace v základnových stanicích. Plastové pouzdro PowerSO-10, navržené pro vysokou spolehlivost, je prvním vysoce výkonným SMD pouzdrem schváleným ST JEDEC. Byl speciálně optimalizován pro potřeby RF a nabízí vynikající RF výkon a snadnou montáž. Doporučení pro montáž jsou k dispozici na adrese www.st.com/rf/ (vyhledejte aplikační poznámku AN1294).
Vynikající tepelná stabilita
Společná konfigurace zdroje
Nový plastový obal RF
Související odkazy
- řada: PD5 MOSFET PD57060-E Typ N-kanálový 7 A 65 V STMicroelectronics počet kolíků: 10 kolíkový Vylepšení
- řada: PD5 MOSFET PD55015TR-E Typ N-kanálový 5 A 40 V STMicroelectronics počet kolíků: 10 kolíkový
- řada: PD5 MOSFET PD55003TR-E Typ N-kanálový 2.5 A 40 V STMicroelectronics počet kolíků: 10 kolíkový
- STMicroelectronics MOSFET VN808-E MOSFET 1 0.7 A PowerSO
- STMicroelectronics MOSFET VN808-32-E MOSFET 1 1 A PowerSO
- STMicroelectronics MOSFET MOSFET 1 0.7 A PowerSO
- STMicroelectronics MOSFET MOSFET 1 1 A PowerSO
- řada: LdmoST MOSFET PD55015-E Typ N-kanálový 5 A 40 V počet kolíků: 10 kolíkový Vylepšení