řada: HEXFET MOSFET IRF5801TRPBF Typ N-kanálový 600 mA 200 V Infineon, TSOP, počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 301-631
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-36-986
- Výrobní číslo:
- IRF5801TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
75,88 Kč
(bez DPH)
91,81 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 13 660 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 + | 7,588 Kč | 75,88 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 301-631
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-36-986
- Výrobní číslo:
- IRF5801TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 600mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Typ balení | TSOP | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.2Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 3.9nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 3mm | |
| Výška | 0.9mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 600mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Typ balení TSOP | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.2Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 3.9nC | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 3mm | ||
Výška 0.9mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-kanálový napájecí MOSFET 150 V až 600 V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 600 mA 200 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 5.8 A 30 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 8.2 A 30 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 6.9 A 20 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRLTS2242TRPBF Typ P-kanálový 6.9 A 20 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFTS9342TRPBF Typ P-kanálový 5.8 A 30 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFTS8342TRPBF Typ N-kanálový 8.2 A 30 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 0.9 A 150 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový