řada: XHPMOSFET FF2000UXTR33T2M1BPSA1 Dual N-kanálový 925 A 3300 V, Zásuvka dvojitý SiC
- Skladové číslo RS:
- 277-194
- Výrobní číslo:
- FF2000UXTR33T2M1BPSA1
- Výrobce:
- Infineon
Nedostupné
Společnost RS již nebude tento výrobek vést skladem.
- Skladové číslo RS:
- 277-194
- Výrobní číslo:
- FF2000UXTR33T2M1BPSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Dual N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 925 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 3300 V | |
| Series | XHP | |
| Typ balení | Zásuvka | |
| Typ montáže | Upevnění šroubem | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Materiál tranzistoru | SiC | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Dual N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 925 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 3300 V | ||
Series XHP | ||
Typ balení Zásuvka | ||
Typ montáže Upevnění šroubem | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Materiál tranzistoru SiC | ||
- Země původu (Country of Origin):
- DE
Polomůstkový modul Infineon XHP 2 CoolSiC MOSFET 3,3 kV, 1,9 mΩ s technologií propojení XT pro dekarbonizaci dopravy.
Integrovaná tělová dioda
Pouzdro XHP 2
Energetická účinnost
Vysoká výkonová hustota
Zvýšená životnost
Pouzdro XHP 2
Energetická účinnost
Vysoká výkonová hustota
Zvýšená životnost