řada: HT8KB6 MOSFET HT8KB6TB1 Typ P-kanálový 15 A 40 V, HSMT-8, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vyčerpání 1
- Skladové číslo RS:
- 265-123
- Výrobní číslo:
- HT8KB6TB1
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 10 kusech)*
174,14 Kč
(bez DPH)
210,71 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 100 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 17,414 Kč | 174,14 Kč |
| 100 - 240 | 16,549 Kč | 165,49 Kč |
| 250 - 490 | 15,314 Kč | 153,14 Kč |
| 500 - 990 | 14,104 Kč | 141,04 Kč |
| 1000 + | 13,585 Kč | 135,85 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 265-123
- Výrobní číslo:
- HT8KB6TB1
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 15A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Řada | HT8KB6 | |
| Typ balení | HSMT-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 17.2mΩ | |
| Režim kanálu | Vyčerpání | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 14W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 15A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Řada HT8KB6 | ||
Typ balení HSMT-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 17.2mΩ | ||
Režim kanálu Vyčerpání | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 14W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Automobilový standard Ne | ||
ROHM MOSFET je určen pro náročné aplikace, které vyžadují výjimečnou účinnost a spolehlivost. Robustní konstrukce výrobku s nízkým zapínacím odporem a vysokou výkonovou kapacitou jej předurčuje jako ideální volbu pro motorové pohony a další potřeby řízení napájení. Vyniká kompaktním balením HSMT8, které zajišťuje snadnou integraci do různých elektronických systémů.
Bezhalogenové provedení podporuje dodržování globálních ekologických norem
Zaručené 100% testování Rg a UIS pro vyšší spolehlivost
Široký rozsah pracovních teplot spoje umožňuje všestranné použití
Vysoká schopnost pulzního odtokového proudu podporuje náročné provozní profily
Související odkazy
- řada: RH MOSFET RH6N040BHTB1 Typ P-kanálový 65 A 80 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vyčerpání
- MOSFET RQ3N025ATTB1 P-kanál-kanálový 7 A -80 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HT8MC5 Jednoduché tranzistory MOSFET HT8MC5TB1 Typ P HSMT-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HT8MB5 Jednoduché tranzistory MOSFET HT8MB5TB1 Typ N HSMT-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 HSMT-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 HSMT-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 HSMT-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 HSMT-8AG, počet kolíků: 8 kolíkový