řada: HP8 MOSFET HT8KC5TB1 Typ N-kanálový 10 A 60 V, HSMT-8, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2
- Skladové číslo RS:
- 264-764
- Výrobní číslo:
- HT8KC5TB1
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 10 kusech)*
131,16 Kč
(bez DPH)
158,70 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 100 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 13,116 Kč | 131,16 Kč |
| 100 - 240 | 12,474 Kč | 124,74 Kč |
| 250 - 490 | 11,535 Kč | 115,35 Kč |
| 500 - 990 | 10,621 Kč | 106,21 Kč |
| 1000 + | 10,226 Kč | 102,26 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 264-764
- Výrobní číslo:
- HT8KC5TB1
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 10A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | HSMT-8 | |
| Řada | HP8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 90mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 13W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 10A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení HSMT-8 | ||
Řada HP8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 90mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 13W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
ROHM 60V 10A Dual Nch+Pch je MOSFET s nízkým zapínacím odporem, ideální pro spínací aplikace.
Vysoce výkonné balení pro malé formy (HSMT8)
Bezolovnaté pokovení a shoda s RoHS
Bez halogenů
Související odkazy
- řada: HP8 MOSFET HP8KC7TB1 Typ N-kanálový 60 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2
- řada: HP8 MOSFET HP8KC6TB1 Typ N-kanálový 60 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2
- MOSFET RQ3P300BHTB1 Typ N-kanálový 39 A 100 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HP8 MOSFET HP8KB7TB1 Typ N-kanálový 24 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2
- řada: RQ3 MOSFET RQ3L060BGTB1 Typ N-kanálový 60 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HP8 MOSFET HT8KB5TB1 Typ N-kanálový 12 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2
- řada: HP8 MOSFET HP8MC5TB1 Typ P HSOP-8, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2
- řada: HP8 MOSFET HP8KB6TB1 Typ N-kanálový 40 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Nch+Nch