řada: PSM MOSFET PSMN2R4-30YLDX Typ N-kanálový 100 A 30 V Nexperia, LFPAK, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 219-373
- Výrobní číslo:
- PSMN2R4-30YLDX
- Výrobce:
- Nexperia
Mezisoučet (1 naviják po 1500 kusech)*
28 882,50 Kč
(bez DPH)
34 948,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 11. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 1500 + | 19,255 Kč | 28 882,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 219-373
- Výrobní číslo:
- PSMN2R4-30YLDX
- Výrobce:
- Nexperia
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Nexperia | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | LFPAK | |
| Řada | PSM | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 5 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.4mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 16.2nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 106W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Nexperia | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení LFPAK | ||
Řada PSM | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 5 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.4mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 16.2nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 106W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- PH
N-kanálový tranzistor Nexperia MOSFET z portfolia NextPowerS3 využívající jedinečnou technologii SchottkyPlus společnosti NXP poskytuje vysokou účinnost a nízký špičkový výkon, který je obvykle spojen s tranzistory MOSFET s integrovanou Schottkyho nebo Schottkymu podobnou diodou, ale bez problematického vysokého svodového proudu. NextPowerS3 je vhodný zejména pro aplikace s vysokou účinností při vysokých spínacích frekvencích.
Nízká parazitní indukčnost a odpor
Vysoce spolehlivý klipový spoj a pájení na matrici Napájecí pouzdro SO8
Kvalifikace do 175 °C
Superrychlé přepínání s jemnou obnovou
Související odkazy
- řada: PSM MOSFET PSMN2R4-30YLDX Typ N-kanálový 100 A 30 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: PSM MOSFET PSMN2R4-30MLDX Typ N-kanálový 70 A 30 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: PSM MOSFET PSMN6R1-30YLDX Typ N-kanálový 66 A 30 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: PSM MOSFET PSMN6R0-30YLDX Typ N-kanálový 66 A 30 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: PSM MOSFET PSMN2R0-30YLDX Typ N-kanálový 100 A 30 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: PSM MOSFET PSMN7R5-30YLDX Typ N-kanálový 51 A 30 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: PSM MOSFET PSMN3R0-30YLDX Typ N-kanálový 100 A 30 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: PSM MOSFET PSMN1R0-30YLDX Typ N-kanálový 300 A 30 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení