řada: PSM MOSFET PSMN1R0-30YLDX N-kanálový 300 A 30 V Nexperia, LFPAK, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 219-315
- Výrobní číslo:
- PSMN1R0-30YLDX
- Výrobce:
- Nexperia
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 1 kusu)*
47,42 Kč
(bez DPH)
57,38 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 500 jednotka(y) budou odesílané od 29. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
páska, -y | za pásku |
|---|---|
| 1 - 9 | 47,42 Kč |
| 10 - 99 | 42,73 Kč |
| 100 - 499 | 39,52 Kč |
| 500 - 999 | 36,06 Kč |
| 1000 + | 32,85 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 219-315
- Výrobní číslo:
- PSMN1R0-30YLDX
- Výrobce:
- Nexperia
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Nexperia | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 300A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | LFPAK | |
| Řada | PSM | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 5 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 57.3nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 238W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Nexperia | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 300A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení LFPAK | ||
Řada PSM | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 5 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 57.3nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 238W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
N-kanálový tranzistor Nexperia MOSFET z portfolia NextPowerS3 využívající jedinečnou technologii SchottkyPlus společnosti NXP poskytuje vysokou účinnost a nízký špičkový výkon, který je obvykle spojen s tranzistory MOSFET s integrovanou Schottkyho nebo Schottkymu podobnou diodou, ale bez problematického vysokého svodového proudu. NextPowerS3 je vhodný zejména pro aplikace s vysokou účinností při vysokých spínacích frekvencích.
Nízká parazitní indukčnost a odpor
Vysoce spolehlivý klipový spoj a pájení na matrici Napájecí pouzdro SO8
Pájení vlnou je možné
Superrychlé přepínání s jemnou obnovou
Související odkazy
- řada: PSM MOSFET PSMN1R0-30YLDX N-kanálový 300 A 30 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: PSM MOSFET PSMN1R0-40YLDX N-kanálový 280 A 40 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: PSM MOSFET PSMN1R0-40SSHJ N-kanálový 325 A 40 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: PSM MOSFET PSMN1R0-25YLDX N-kanálový 240 A 25 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: PSM MOSFET PSMN1R0-30YLEX N-kanálový 275 A 30 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: PSM MOSFET PSMN6R0-30YLDX N-kanálový 66 A 30 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: PSM MOSFET PSMN2R4-30YLDX N-kanálový 100 A 30 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: PSM MOSFET PSMN7R5-30YLDX N-kanálový 51 A 30 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení