řada: HiperFET, Polar MOSFET IXFH36N50P Typ N-kanálový 36 A 500 V IXYS, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 194-546
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 302-53-322
- Výrobní číslo:
- IXFH36N50P
- Výrobce:
- IXYS
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
294,35 Kč
(bez DPH)
356,16 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 85 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 4 | 294,35 Kč |
| 5 - 9 | 288,25 Kč |
| 10 - 14 | 278,86 Kč |
| 15 - 19 | 276,39 Kč |
| 20 + | 273,18 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 194-546
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 302-53-322
- Výrobní číslo:
- IXFH36N50P
- Výrobce:
- IXYS
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | IXYS | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 36A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 500V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | HiperFET, Polar | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 170mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 540W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30 V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 93nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 16.26mm | |
| Šířka | 5.3 mm | |
| Výška | 21.46mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka IXYS | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 36A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 500V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada HiperFET, Polar | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 170mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 540W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30 V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 93nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 16.26mm | ||
Šířka 5.3 mm | ||
Výška 21.46mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™
Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS
Tranzistory MOSFET, IXYS
Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS
Související odkazy
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
