řada: HiperFET, Polar MOSFET IXFH110N10P Typ N-kanálový 110 A 100 V IXYS, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 193-492
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 302-53-306
- Výrobní číslo:
- IXFH110N10P
- Výrobce:
- IXYS
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
211,43 Kč
(bez DPH)
255,83 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 474 jednotka(y) budou odesílané od 07. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 4 | 211,43 Kč |
| 5 - 19 | 197,35 Kč |
| 20 - 49 | 185,25 Kč |
| 50 - 99 | 137,33 Kč |
| 100 + | 134,37 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 193-492
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 302-53-306
- Výrobní číslo:
- IXFH110N10P
- Výrobce:
- IXYS
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | IXYS | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 110A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | HiperFET, Polar | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 15mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 480W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 110nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 5.3mm | |
| Délka | 16.26mm | |
| Výška | 21.46mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka IXYS | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 110A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada HiperFET, Polar | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 15mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 480W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 110nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 5.3mm | ||
Délka 16.26mm | ||
Výška 21.46mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™
Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS
Tranzistory MOSFET, IXYS
Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS
Související odkazy
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení