řada: SuperMESH MOSFET STP6NK60Z N-kanálový 6 A 600 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 151-941
- Výrobní číslo:
- STP6NK60Z
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (50 jednotky/-ek, do tubusu po 50 ks)*
1 778,40 Kč
(bez DPH)
2 151,85 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 50 jednotka(y) budou odesílané od 11. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 35,568 Kč | 1 778,40 Kč |
| 500 - 1200 | 31,977 Kč | 1 598,85 Kč |
| 1250 + | 26,212 Kč | 1 310,60 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-941
- Výrobní číslo:
- STP6NK60Z
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | SuperMESH | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.2Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 33nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 10.4mm | |
| Výška | 28.9mm | |
| Délka | 28.9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada SuperMESH | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.2Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 33nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 10.4mm | ||
Výška 28.9mm | ||
Délka 28.9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový tranzistor STMicroelectronics Power MOSFET je získán extrémní optimalizací dobře zavedeného uspořádání Power MESH na bázi pásků. Kromě výrazného snížení odporu je věnována zvláštní pozornost zajištění velmi dobré schopnosti dv/dt pro nejnáročnější aplikace.
Extrémně vysoká schopnost dv/dt
100% lavinově testováno
Minimalizace náboje na hradle
Související odkazy
- řada: SuperMESH MOSFET STP6NK60Z N-kanálový 6 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH Zenerem chráněný MOSFET SuperMESH N-kanálový 10 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3
- řada: SuperMESH MOSFET STP20NK50Z N-kanálový 17 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení