řada: SuperMESH MOSFET STN1NK60Z N-kanálový 300 mA 600 V STMicroelectronics, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 151-928P
- Výrobní číslo:
- STN1NK60Z
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (200 jednotky/-ek, dodává se na cívce)*
2 564,00 Kč
(bez DPH)
3 102,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 920 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 200 - 980 | 12,82 Kč |
| 1000 - 1980 | 9,769 Kč |
| 2000 + | 8,744 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-928P
- Výrobní číslo:
- STN1NK60Z
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 300mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | SuperMESH | |
| Typ balení | SOT-223 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 15Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 4.9nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.8mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 3.7mm | |
| Délka | 6.7mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 300mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada SuperMESH | ||
Typ balení SOT-223 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 15Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 4.9nC | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.8mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 3.7mm | ||
Délka 6.7mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics vyvinutý pomocí technologie Super MESH, které bylo dosaženo optimalizací dobře zavedeného uspořádání Power MESH založeného na páskách. Kromě výrazného snížení odporu při zapnutí je toto zařízení navrženo tak, aby zajistilo vysokou úroveň schopnosti dv/dt pro nejnáročnější aplikace.
100% lavinově testováno
Minimalizace náboje na hradle
Zlepšená schopnost SD
Zenerova ochrana