řada: STripFET II MOSFET STD25NF10T4 N-kanálový 25 A 100 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 151-917P
- Výrobní číslo:
- STD25NF10T4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 100 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
1 677,10 Kč
(bez DPH)
2 029,30 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 7 410 jednotka(y) budou odesílané od 16. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 100 - 490 | 16,771 Kč |
| 500 - 990 | 13,239 Kč |
| 1000 - 2490 | 12,128 Kč |
| 2500 + | 10,868 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-917P
- Výrobní číslo:
- STD25NF10T4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 25A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | STripFET II | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 38Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 100W | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 25A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada STripFET II | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 38Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 100W | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Řada výkonových tranzistorů STMicroelectronics Power MOSFET byla vyvinuta pomocí procesu STripFET, který je speciálně navržen tak, aby minimalizoval vstupní kapacitu a náboj hradla. Díky tomu je zařízení vhodné pro použití jako primární spínač v moderních vysoce účinných izolovaných měničích stejnosměrného proudu na stejnosměrný proud pro telekomunikační a počítačové aplikace.
Výjimečná schopnost dv/dt
100% lavinově testováno
Nízký náboj hradla