řada: MDmesh K5 MOSFET STH13N120K5-2AG N-kanálový 21 A 1.2 kV STMicroelectronics, H2PAK-2, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 151-914P
- Výrobní číslo:
- STH13N120K5-2AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 100 kusů a ušetřete 2 964,00 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
1 842,60 Kč
(bez DPH)
2 229,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 980 jednotka(y) budou odesílané od 13. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 10 - 99 | 184,26 Kč | - |
| 100 - 999 | 154,62 Kč | 2 964,00 Kč |
| 1000 + | 146,22 Kč | 38 040,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-914P
- Výrobní číslo:
- STH13N120K5-2AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 21A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1.2kV | |
| Typ balení | H2PAK-2 | |
| Řada | MDmesh K5 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.69Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 44.2nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 10.4mm | |
| Délka | 15.8mm | |
| Výška | 4.7mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 21A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1.2kV | ||
Typ balení H2PAK-2 | ||
Řada MDmesh K5 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.69Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 44.2nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 10.4mm | ||
Délka 15.8mm | ||
Výška 4.7mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový tranzistor MOSFET společnosti STMicroelectronics je navržen pomocí technologie MDmesh K5 založené na inovativní vlastní vertikální struktuře. Výsledkem je výrazné snížení odporu a velmi nízký náboj hradla pro aplikace vyžadující vynikající hustotu výkonu a vysokou účinnost.
AEC Q101 qualified
Industry's lowest RDS(on) x area
Industry's best FoM
Ultra low gate charge
100% avalanche tested
Zener protected