řada: STripFET F6 MOSFET STD35P6LLF6 Typ P-kanálový 35 A 60 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 151-912P
- Výrobní číslo:
- STD35P6LLF6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
1 524,00 Kč
(bez DPH)
1 844,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 385 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 50 - 245 | 30,48 Kč |
| 250 - 495 | 23,218 Kč |
| 500 + | 20,798 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-912P
- Výrobní číslo:
- STD35P6LLF6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 35A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | STripFET F6 | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.028Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 70W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 30nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 35A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada STripFET F6 | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.028Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 70W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 30nC | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
P-kanálový výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics, vyvinutý technologií STripFET F6, s novou strukturou příkopového hradla. Výsledný výkonový tranzistor MOSFET vykazuje velmi nízké RDS(on) ve všech baleních.
Velmi nízký zapínací odpor
Velmi nízký náboj hradla
Vysoká lavinová odolnost
Nízká ztráta výkonu při pohonu hradla