řada: SuperMESH MOSFET STD1NK80ZT4 N-kanálový 1 A 800 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 151-905P
- Výrobní číslo:
- STD1NK80ZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 200 jednotky/-ek (dodává se na cívce)*
4 297,80 Kč
(bez DPH)
5 200,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 2 360 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 200 - 480 | 21,489 Kč |
| 500 + | 16,846 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-905P
- Výrobní číslo:
- STD1NK80ZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | SuperMESH | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 16Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 45W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada SuperMESH | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 16Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 45W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET, to je vysokonapěťové zařízení se Zenerem chráněným N-kanálem vyvinuté pomocí technologie SuperMESH , která je optimalizací zavedeného PowerMESH. Kromě výrazného snížení zapínacího odporu je toto zařízení navrženo tak, aby zajistilo vysokou úroveň schopnosti dv/dt pro nejnáročnější aplikace.
Minimalizace náboje na hradle
Velmi nízká vnitřní kapacita
Zenerova ochrana