řada: MDmesh MOSFET STW20NM60 N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 151-455
- Výrobní číslo:
- STW20NM60
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
327,28 Kč
(bez DPH)
396,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 314 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 163,64 Kč | 327,28 Kč |
| 20 - 48 | 141,285 Kč | 282,57 Kč |
| 50 + | 113,495 Kč | 226,99 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-455
- Výrobní číslo:
- STW20NM60
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 20A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | MDmesh | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.29Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Minimální provozní teplota | 50°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 15.75mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 34.95mm | |
| Výška | 5.15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 20A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada MDmesh | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.29Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Minimální provozní teplota 50°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 15.75mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 34.95mm | ||
Výška 5.15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonové tranzistory STMicroelectronics Power MOSFET spojují proces s vícenásobným odtokem s horizontálním uspořádáním Power MESH společnosti STMicroelectronics. Výsledný produkt má vynikající nízký odpor při zapnutí, působivě vysoký dv/dt a vynikající lavinové vlastnosti. Použití patentované techniky páskování společnosti přináší celkový dynamický výkon, který je výrazně lepší než u podobných konkurenčních výrobků.
100% lavinově testováno
Nízká vstupní kapacita a náboj hradla
Nízký vstupní odpor hradla
Související odkazy
- řada: MDmesh MOSFET STW20NM60 N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 45 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 39 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 29 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STW48NM60N N-kanálový 39 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STW26NM60N N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STW45NM60 N-kanálový 45 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení