řada: SuperMESH MOSFET STS1DNC45 Duální N-kanálový 400 mA 450 V STMicroelectronics, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 151-446
- Výrobní číslo:
- STS1DNC45
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 151-446
- Výrobní číslo:
- STS1DNC45
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Duální N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 400mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 450V | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Řada | SuperMESH | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.5Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Minimální provozní teplota | -65°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Duální N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 400mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 450V | ||
Typ balení SO-8 | ||
Řada SuperMESH | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.5Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Minimální provozní teplota -65°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics vyvinutý pomocí technologie Super MESH, které bylo dosaženo optimalizací dobře zavedeného uspořádání Power MESH. Kromě výrazného snížení odporu při zapnutí je toto zařízení navrženo tak, aby zajistilo vysokou úroveň schopnosti dv/dt pro nejnáročnější aplikace.
Standardní obrys pro snadnou automatizovanou montáž na povrch
Minimalizováno zatížení brány
Související odkazy
- řada: SuperMESH MOSFET STS1DNC45 Duální N-kanálový 400 mA 450 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový
- STMicroelectronics EEPROM I2C 450 ns SO-8
- STMicroelectronics EEPROM M24M01E-FMN6TP I2C 450 ns SO-8
- STMicroelectronics EEPROM M24C64-UFMN6TP I2C 450 ns SO-8N
- STMicroelectronics EEPROM M24512E-FMN6TP I2C 450 ns SO-8N
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 21 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 1 Duální
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 6.6 A 20 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 1 Duální
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
