řada: SuperMESH MOSFET STP20NK50Z N-kanálový 17 A 500 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 151-441
- Výrobní číslo:
- STP20NK50Z
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (50 jednotky/-ek, do tubusu po 50 ks)*
3 616,10 Kč
(bez DPH)
4 375,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 3 450 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 72,322 Kč | 3 616,10 Kč |
| 250 + | 70,296 Kč | 3 514,80 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-441
- Výrobní číslo:
- STP20NK50Z
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 17A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 500V | |
| Řada | SuperMESH | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.27Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 119nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 190W | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 17A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 500V | ||
Řada SuperMESH | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.27Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 119nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 190W | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics vyvinutý pomocí technologie Super MESH, které bylo dosaženo optimalizací dobře zavedeného uspořádání Power MESH. Kromě výrazného snížení odporu při zapnutí je toto zařízení navrženo tak, aby zajistilo vysokou úroveň schopnosti dv/dt pro nejnáročnější aplikace.
100% lavinově testováno
Minimalizace náboje na hradle
Velmi nízká vnitřní kapacita
Související odkazy
- řada: SuperMESH MOSFET STP20NK50Z N-kanálový 17 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH Výkonový MOSFET N-kanálový 10 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH MOSFET STP6NK60Z N-kanálový 6 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení