řada: SuperMESH MOSFET STB11NK40ZT4 N-kanálový 9 A 400 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 151-428P
- Výrobní číslo:
- STB11NK40ZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
3 270,30 Kč
(bez DPH)
3 957,05 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 975 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 50 - 120 | 65,406 Kč |
| 125 + | 51,278 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-428P
- Výrobní číslo:
- STB11NK40ZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 400V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | SuperMESH | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.55Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 15.85mm | |
| Šířka | 10.4mm | |
| Výška | 4.6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 400V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada SuperMESH | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.55Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 15.85mm | ||
Šířka 10.4mm | ||
Výška 4.6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonové tranzistory STMicroelectronics Power MOSFET jsou vyvinuty pomocí technologie Super MESH, která je optimalizací dobře zavedené technologie Power MESH. Kromě výrazného snížení odporu při zapnutí jsou tato zařízení navržena tak, aby zajistila vysokou úroveň schopnosti dv/dt pro nejnáročnější aplikace.
100% lavinově testováno
Minimalizace náboje na hradle
Velmi nízká vnitřní kapacita
Zenerova ochrana