řada: SuperMESH MOSFET STB11NK40ZT4 N-kanálový 9 A 400 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 151-428
- Výrobní číslo:
- STB11NK40ZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 5 kusech)*
379,39 Kč
(bez DPH)
459,06 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 975 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 75,878 Kč | 379,39 Kč |
| 50 - 120 | 65,406 Kč | 327,03 Kč |
| 125 + | 51,278 Kč | 256,39 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-428
- Výrobní číslo:
- STB11NK40ZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 400V | |
| Řada | SuperMESH | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.55Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 32nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 4.6mm | |
| Šířka | 10.4mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 15.85mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 400V | ||
Řada SuperMESH | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.55Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 32nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 4.6mm | ||
Šířka 10.4mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 15.85mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonové tranzistory STMicroelectronics Power MOSFET jsou vyvinuty pomocí technologie Super MESH, která je optimalizací dobře zavedené technologie Power MESH. Kromě výrazného snížení odporu při zapnutí jsou tato zařízení navržena tak, aby zajistila vysokou úroveň schopnosti dv/dt pro nejnáročnější aplikace.
100% lavinově testováno
Minimalizace náboje na hradle
Velmi nízká vnitřní kapacita
Zenerova ochrana
Související odkazy
- řada: SuperMESH MOSFET STB11NK40ZT4 N-kanálový 9 A 400 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH MOSFET STD5NK40ZT4 N-kanálový 3 A 400 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH Napájecí SuperMESH MOSFET N-kanálový 4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení