řada: STN MOSFET STN4NF20L N-kanálový 1 A 200 V STMicroelectronics, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 151-425P
- Výrobní číslo:
- STN4NF20L
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 200 jednotky/-ek (dodává se na cívce)*
1 632,80 Kč
(bez DPH)
1 975,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 600 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 200 - 980 | 8,164 Kč |
| 1000 - 1980 | 6,225 Kč |
| 2000 + | 5,57 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-425P
- Výrobní číslo:
- STN4NF20L
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Řada | STN | |
| Typ balení | SOT-223 | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.5Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 3.3W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Řada STN | ||
Typ balení SOT-223 | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.5Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 3.3W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Řada výkonových tranzistorů STMicroelectronics Power MOSFET byla vyvinuta pomocí procesu STripFET, který je speciálně navržen tak, aby minimalizoval vstupní kapacitu a náboj hradla. Díky tomu je zařízení vhodné pro použití jako primární spínač v pokročilých izolovaných měničích stejnosměrného proudu s vysokou účinností.
Výjimečná schopnost dv/dt
100% lavinově testováno
Nízký náboj hradla