STMicroelectronics IGBT STGP10M65DF2 Typ N-kanálový 20 A 650 V, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Typy balení:
Skladové číslo RS:
906-2795
Výrobní číslo:
STGP10M65DF2
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

20A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Typ balení

TO-220

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Země původu (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.