Infineon IGBT IKW40N60H3FKSA1 Typ N-kanálový 40 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 227 ns

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

209,95 Kč

(bez DPH)

254,04 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 14 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 38 jednotka(y) budou odesílané od 27. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 18104,975 Kč209,95 Kč
20 - 4894,355 Kč188,71 Kč
50 - 9888,055 Kč176,11 Kč
100 - 19881,755 Kč163,51 Kč
200 +75,58 Kč151,16 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
897-7208
Výrobní číslo:
IKW40N60H3FKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

40A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

306W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

227ns

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.5V

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS, JEDEC

Řada

TrenchStop

Automobilový standard

Ne

Jmenovitá energie

2.12mJ

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650


Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.

• Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.

• Velmi nízký VCEsat

• Nízké ztráty při vypnutí

• Krátký proud zadních výklopných dveří

• Nízká EMI

• Maximální teplota spoje 175 °C.

IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy