Infineon IGBT Typ N-kanálový 40 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 227 ns

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

1 751,73 Kč

(bez DPH)

2 119,59 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Skladem
  • Plus 30 jednotka(y) budou odesílané od 20. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 3058,391 Kč1 751,73 Kč
60 - 12055,476 Kč1 664,28 Kč
150 +53,138 Kč1 594,14 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
145-8726
Výrobní číslo:
IKW40N60H3FKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

40A

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

306W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

227ns

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.5V

Maximální provozní teplota

175°C

Řada

TrenchStop

Normy/schválení

RoHS, JEDEC

Jmenovitá energie

2.12mJ

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650


Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.

• Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.

• Velmi nízký VCEsat

• Nízké ztráty při vypnutí

• Krátký proud zadních výklopných dveří

• Nízká EMI

• Maximální teplota spoje 175 °C.

IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy