STMicroelectronics IGBT STGD5NB120SZT4 Typ N-kanálový 5 A 1200 V, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 690 ns
- Skladové číslo RS:
- 877-2879P
- Výrobní číslo:
- STGD5NB120SZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 25 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
912,30 Kč
(bez DPH)
1 103,875 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 1 870 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 25 - 45 | 36,492 Kč |
| 50 - 120 | 32,88 Kč |
| 125 - 245 | 29,578 Kč |
| 250 + | 28,04 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 877-2879P
- Výrobní číslo:
- STGD5NB120SZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 5A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 1200V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 75W | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 690ns | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±20 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Řada | H | |
| Normy/schválení | JEDEC JESD97, ECOPACK | |
| Délka | 6.2mm | |
| Výška | 2.2mm | |
| Jmenovitá energie | 12.68mJ | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 5A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 1200V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 75W | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 690ns | ||
Maximální napětí brány VGEO ±20 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Řada H | ||
Normy/schválení JEDEC JESD97, ECOPACK | ||
Délka 6.2mm | ||
Výška 2.2mm | ||
Jmenovitá energie 12.68mJ | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- PLC procesor řada SIMATIC S7-1200 relé Ethernet 14 vstupů/výstupů 1 MB 8 6 Lišta DIN, Nástěnná
- Dveřní lišta proti dešti délka: 838mm x 32 mm x 20.75mm RS PRO
- Protipovodňová bariéra 30 l množství v balení: 1 ks v balení RS PRO
- Zmrazovací sprej, 400 ml Aerosol -45°C RS PRO
- Elektroměr, řada: SENTRON PAC2200 LCD 3fázový Siemens
- Pneumatický spínač polovodičový SMC
- Knoflíková baterie 3V CR2050 CR2050 Murata
- Mikrometr5 μm0001 mm0005 mm max. měření: 25mm, rozsah: 0 mm →25
