STMicroelectronics IGBT STGD5NB120SZT4 Typ N-kanálový 5 A 1200 V, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 690 ns

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet 25 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*

912,30 Kč

(bez DPH)

1 103,875 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 1 870 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
25 - 4536,492 Kč
50 - 12032,88 Kč
125 - 24529,578 Kč
250 +28,04 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
877-2879P
Výrobní číslo:
STGD5NB120SZT4
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

5A

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

75W

Typ balení

TO-252

Typ montáže

Povrch

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

690ns

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Maximální provozní teplota

150°C

Řada

H

Normy/schválení

JEDEC JESD97, ECOPACK

Délka

6.2mm

Výška

2.2mm

Jmenovitá energie

12.68mJ

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.