STMicroelectronics IGBT N-kanálový 29 A 600 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 3.8 μs
- Skladové číslo RS:
- 877-2873P
- Výrobní číslo:
- STGF10NB60SD
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 500 kusů a ušetřete 1%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 100 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
2 651,90 Kč
(bez DPH)
3 208,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 50 jednotka(y) budou odesílané od 16. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 100 - 490 | 26,519 Kč | - |
| 500 - 990 | 26,195 Kč | 1% |
| 1000 - 4990 | 25,88 Kč | 2% |
| 5000 + | 25,571 Kč | 3% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 877-2873P
- Výrobní číslo:
- STGF10NB60SD
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 29A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 600V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 80W | |
| Typ balení | TO-220FP | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 3.8μs | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±20 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.75V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 10.4mm | |
| Šířka | 4.6mm | |
| Délka | 30.6mm | |
| Řada | Low Drop | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Jmenovitá energie | 8mJ | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 29A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 600V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 80W | ||
Typ balení TO-220FP | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 3.8μs | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí brány VGEO ±20 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.75V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 10.4mm | ||
Šířka 4.6mm | ||
Délka 30.6mm | ||
Řada Low Drop | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Jmenovitá energie 8mJ | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.