STMicroelectronics IGBT STGF10NB60SD Typ N-kanálový 29 A 600 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 3.8 μs
- Skladové číslo RS:
- 877-2873P
- Výrobní číslo:
- STGF10NB60SD
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
1 412,85 Kč
(bez DPH)
1 709,55 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 60 jednotka(y) budou odesílané od 10. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 50 - 90 | 28,257 Kč |
| 100 - 240 | 27,886 Kč |
| 250 - 490 | 27,565 Kč |
| 500 + | 27,244 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 877-2873P
- Výrobní číslo:
- STGF10NB60SD
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 29A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 600V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 80W | |
| Typ balení | TO-220FP | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 3.8μs | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.75V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±20 V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Řada | Low Drop | |
| Výška | 10.4mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 30.6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Jmenovitá energie | 8mJ | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 29A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 600V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 80W | ||
Typ balení TO-220FP | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 3.8μs | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.75V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí brány VGEO ±20 V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Řada Low Drop | ||
Výška 10.4mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 30.6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Jmenovitá energie 8mJ | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- PLC procesor řada SIMATIC S7-1200 relé Ethernet 14 vstupů/výstupů 1 MB 8 6 Lišta DIN, Nástěnná
- Dveřní lišta proti dešti délka: 838mm x 32 mm x 20.75mm RS PRO
- Protipovodňová bariéra 30 l množství v balení: 1 ks v balení RS PRO
- Zmrazovací sprej, 400 ml Aerosol -45°C RS PRO
- Elektroměr, řada: SENTRON PAC2200 LCD 3fázový Siemens
- Pneumatický spínač polovodičový SMC
- Knoflíková baterie 3V CR2050 CR2050 Murata
- Mikrometr5 μm0001 mm0005 mm max. měření: 25mm, rozsah: 0 mm →25
