STMicroelectronics IGBT STGF10NB60SD Typ N-kanálový 29 A 600 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 3.8 μs

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*

1 412,85 Kč

(bez DPH)

1 709,55 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 60 jednotka(y) budou odesílané od 10. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
50 - 9028,257 Kč
100 - 24027,886 Kč
250 - 49027,565 Kč
500 +27,244 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
877-2873P
Výrobní číslo:
STGF10NB60SD
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

29A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

80W

Typ balení

TO-220FP

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

3.8μs

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.75V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální provozní teplota

150°C

Řada

Low Drop

Výška

10.4mm

Normy/schválení

RoHS

Délka

30.6mm

Automobilový standard

Ne

Jmenovitá energie

8mJ

Země původu (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.