IGBT modul FF150R12KE3GB2HOSA1 N-kanálový 225 A 1200 V, Modul 62MM, počet kolíků: 7 1MHz Sériové zapojení

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

2 226,21 Kč

(bez DPH)

2 693,71 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 27. prosince 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 12 226,21 Kč
2 - 42 114,81 Kč
5 - 92 025,65 Kč
10 - 191 936,48 Kč
20 +1 870,04 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
838-6835
Výrobní číslo:
FF150R12KE3GB2HOSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

225 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

780 W

Typ balení

Modul 62MM

Konfigurace

Řada

Typ montáže

Montáž do panelu

Typ kanálu

N

Počet kolíků

7

Rychlost spínání

1MHz

Konfigurace tranzistoru

Sériové zapojení

Rozměry

106.4 x 61.4 x 29mm

Minimální provozní teplota

-40 °C

Maximální pracovní teplota

+125 °C

IGBT moduly, Infineon


Řada Infineon modulů IGBT nabízí nízké spínací ztráty pro přepínání až na 60 kHz frekvencí.
IGBT zasahuje do řady napájecích modulů, jako jsou úsporné balíčky s napětím sběračů 1 200 V, polovičním mostovým modulům PrimePACK IGBT až 1 700 V. PrimePACK IGBT se nachází v průmyslových, užitkových, stavebních a zemědělských vozidlech. Moduly N-Channel TRENCHSTOP TM a Fieldstop IGBT jsou vhodné pro aplikace s pevným přepínáním a měkkým přepínáním, jako jsou invertory, UPS a průmyslové jednotky.

Styly balení zahrnují: 62mm moduly, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4


IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy