Infineon IGBT modul FF150R12KS4HOSA1 Typ N-kanálový 225 A 1200 V, Modul 62MM, počet kolíků: 7 kolíkový Svorka 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 krabice po 10 kusech)*

22 938,40 Kč

(bez DPH)

27 755,50 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 28. února 2028
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
Za Krabici*
10 - 102 293,84 Kč22 938,40 Kč
20 +2 229,20 Kč22 292,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
124-8787
Výrobní číslo:
FF150R12KS4HOSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

225A

Typ produktu

IGBT modul

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

1.25kW

Typ balení

Modul 62MM

Typ montáže

Svorka

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

7

Spínací napětí

1MHz

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

3.85V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

125°C

Normy/schválení

No

Délka

106.4mm

Výška

29mm

Šířka

61.4 mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

IGBT moduly, Infineon


Řada Infineon modulů IGBT nabízí nízké spínací ztráty pro přepínání až na 60 kHz frekvencí.

IGBT zasahuje do řady napájecích modulů, jako jsou úsporné balíčky s napětím sběračů 1 200 V, polovičním mostovým modulům PrimePACK IGBT až 1 700 V. PrimePACK IGBT se nachází v průmyslových, užitkových, stavebních a zemědělských vozidlech. Moduly N-Channel TRENCHSTOP TM a Fieldstop IGBT jsou vhodné pro aplikace s pevným přepínáním a měkkým přepínáním, jako jsou invertory, UPS a průmyslové jednotky.

Styly balení zahrnují: 62mm moduly, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4

IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy