Infineon IGBT IKW15N120H3FKSA1 Typ N-kanálový 30 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

228,72 Kč

(bez DPH)

276,76 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Skladem
  • 18 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 182 jednotka(y) budou odesílané od 02. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 18114,36 Kč228,72 Kč
20 - 48101,765 Kč203,53 Kč
50 - 9895,095 Kč190,19 Kč
100 - 19888,18 Kč176,36 Kč
200 +82,25 Kč164,50 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
826-8223
Výrobní číslo:
IKW15N120H3FKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

30A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

217W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.05V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

JEDEC, RoHS

Řada

TrenchStop

Automobilový standard

Ne

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 1 100 až 1 600


Řada IGBT tranzistorů od společnosti Infineon s jmenovitým napětím sběračů 1100 až 1600 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.

• Rozsah napětí sběračů-emitoru od 1100 do 1600V.

• Velmi nízký VCEsat

• Nízké ztráty při vypnutí

• Krátký proud zadních výklopných dveří

• Nízká EMI

• Maximální teplota spoje 175 °C.

IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy