IGBT IGW15N120H3FKSA1 N-kanálový 15 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 110-7153
- Výrobní číslo:
- IGW15N120H3FKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 4 kusech)*
347,28 Kč
(bez DPH)
420,20 Kč
(s DPH)
Přidejte 20 jednotky/-ek pro dopravu zdarma
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | 86,82 Kč | 347,28 Kč |
| 20 - 36 | 82,56 Kč | 330,24 Kč |
| 40 - 96 | 79,04 Kč | 316,16 Kč |
| 100 - 196 | 75,52 Kč | 302,08 Kč |
| 200 + | 70,333 Kč | 281,33 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 110-7153
- Výrobní číslo:
- IGW15N120H3FKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Maximální stejnosměrný proud kolektoru | 15 A | |
| Maximální napětí emitoru/kolektoru | 1200 V | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/emitor | ±20V | |
| Maximální ztrátový výkon | 217 W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Rozměry | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| Jmenovitá energie | 2.5mJ | |
| Maximální pracovní teplota | +175 °C | |
| Kapacitance hradla | 875pF | |
| Minimální provozní teplota | -40 °C | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Maximální stejnosměrný proud kolektoru 15 A | ||
Maximální napětí emitoru/kolektoru 1200 V | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor ±20V | ||
Maximální ztrátový výkon 217 W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Rozměry 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
Jmenovitá energie 2.5mJ | ||
Maximální pracovní teplota +175 °C | ||
Kapacitance hradla 875pF | ||
Minimální provozní teplota -40 °C | ||
Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 1 100 až 1 600
Řada IGBT tranzistorů od společnosti Infineon s jmenovitým napětím sběračů 1100 až 1600 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.
• Rozsah napětí sběračů-emitoru od 1100 do 1600V.
• Velmi nízký VCEsat
• Nízké ztráty při vypnutí
• Krátký proud zadních výklopných dveří
• Nízká EMI
• Maximální teplota spoje 175 °C.
• Velmi nízký VCEsat
• Nízké ztráty při vypnutí
• Krátký proud zadních výklopných dveří
• Nízká EMI
• Maximální teplota spoje 175 °C.
IGBT Discretes & Modules Infineon
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- IGBT IGW15N120H3FKSA1 N-kanálový 15 A 1200 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- IGBT IKW15N120CS7XKSA1 N-kanálový 15 A 1200 V počet kolíků: 3 1 Jednoduchý
- IGBT IKW25N120T2FKSA1 N-kanálový 50 A 1200 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- IGBT IKW40N120H3FKSA1 N-kanálový 80 A 1200 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- IGBT STGW25S120DF3 N-kanálový 50 A 1200 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- IGBT IXGH40N120B2D1 N-kanálový 75 A 1200 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- IGBT IXA45IF1200HB N-kanálový 78 A 1200 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- IGBT IXA12IF1200HB N-kanálový 20 A 1200 V počet kolíků: 3 Jednoduchý