STMicroelectronics IGBT STGW30NC60WD Typ N-kanálový 30 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

236,63 Kč

(bez DPH)

286,322 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 26. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 8118,315 Kč236,63 Kč
10 - 18112,51 Kč225,02 Kč
20 - 48101,27 Kč202,54 Kč
50 - 9891,02 Kč182,04 Kč
100 +86,45 Kč172,90 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
795-9198
Výrobní číslo:
STGW30NC60WD
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

30A

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

200W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.5V

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

20.15mm

Normy/schválení

JEDEC Standard JESD97

Délka

14.8mm

Šířka

15.75 mm

Automobilový standard

Ne

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy