STMicroelectronics IGBT STGF3NC120HD Typ N-kanálový 6 A 1200 V, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

265,28 Kč

(bez DPH)

320,99 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Dočasně vyprodáno
  • 1 350 jednotka(y) budou odesílané od 23. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 2053,056 Kč265,28 Kč
25 - 4550,388 Kč251,94 Kč
50 - 12045,398 Kč226,99 Kč
125 - 24540,854 Kč204,27 Kč
250 +38,828 Kč194,14 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
795-9094
Výrobní číslo:
STGF3NC120HD
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

6A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

25W

Typ balení

TO-220

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.8V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Výška

16.4mm

Délka

10.4mm

Šířka

4.6 mm

Automobilový standard

Ne

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy

Recently viewed