STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 9 A 600 V, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

212,17 Kč

(bez DPH)

256,73 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 10 jednotka(y) budou odesílané od 25. května 2026
  • Plus 150 jednotka(y) budou odesílané od 08. července 2026
  • Plus 150 jednotka(y) budou odesílané od 19. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
10 - 4021,217 Kč212,17 Kč
50 - 9020,946 Kč209,46 Kč
100 - 24020,723 Kč207,23 Kč
250 - 49020,452 Kč204,52 Kč
500 +20,205 Kč202,05 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
795-7142
Výrobní číslo:
STGF10NC60KD
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

9A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

25W

Typ balení

TO-220

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.5V

Maximální provozní teplota

150°C

Řada

Low Drop

Normy/schválení

No

Výška

16.4mm

Délka

10.4mm

Automobilový standard

Ne

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy