STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 9 A 600 V, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

220,82 Kč

(bez DPH)

267,19 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 10 jednotka(y) budou odesílané od 30. března 2026
  • Plus 150 jednotka(y) budou odesílané od 08. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
10 - 4022,082 Kč220,82 Kč
50 - 9020,946 Kč209,46 Kč
100 - 24020,303 Kč203,03 Kč
250 - 49019,76 Kč197,60 Kč
500 +19,266 Kč192,66 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
795-7142
Výrobní číslo:
STGF10NC60KD
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

9A

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

25W

Typ balení

TO-220

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.5V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Řada

Low Drop

Délka

10.4mm

Šířka

4.6 mm

Výška

16.4mm

Automobilový standard

Ne

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy