STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 9 A 600 V, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

212,17 Kč

(bez DPH)

256,73 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 70 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 230 jednotka(y) budou odesílané od 04. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
10 - 9021,217 Kč212,17 Kč
100 - 49019,877 Kč198,77 Kč
500 - 99019,634 Kč196,34 Kč
1000 - 199019,398 Kč193,98 Kč
2000 +19,167 Kč191,67 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
795-7142
Výrobní číslo:
STGF10NC60KD
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

9A

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

25W

Typ balení

TO-220

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.5V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

10.4mm

Řada

Low Drop

Šířka

4.6mm

Normy/schválení

No

Výška

16.4mm

Automobilový standard

Ne

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.