STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 10 A 600 V, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

202,05 Kč

(bez DPH)

244,48 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 110 jednotka(y) budou odesílané od 23. března 2026
  • Plus 40 jednotka(y) budou odesílané od 30. března 2026
  • Plus 50 jednotka(y) budou odesílané od 15. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
10 - 4020,205 Kč202,05 Kč
50 - 9019,661 Kč196,61 Kč
100 - 24019,167 Kč191,67 Kč
250 - 49018,673 Kč186,73 Kč
500 +18,179 Kč181,79 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
906-2808
Výrobní číslo:
STGP5H60DF
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

10A

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

88W

Typ balení

TO-220

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.95V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Výška

9.15mm

Řada

Trench Gate Field Stop

Délka

10.4mm

Šířka

4.6 mm

Jmenovitá energie

221mJ

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy