STMicroelectronics IGBT STGF14NC60KD Typ N-kanálový 11 A 600 V, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

259,35 Kč

(bez DPH)

313,80 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 23. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 551,87 Kč259,35 Kč
10 - 9543,966 Kč219,83 Kč
100 - 49532,95 Kč164,75 Kč
500 - 99527,912 Kč139,56 Kč
1000 +23,81 Kč119,05 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
795-9072
Výrobní číslo:
STGF14NC60KD
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

11A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

28W

Typ balení

TO-220

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.5V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

16.4mm

Délka

10.4mm

Šířka

4.6 mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy

Recently viewed