STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet 5 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*

636,05 Kč

(bez DPH)

769,60 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 17. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
5 - 9127,21 Kč
10 - 24114,61 Kč
25 - 49107,94 Kč
50 +106,70 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
792-5814P
Výrobní číslo:
STGW80H65DFB
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

469W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

Lead (Pb) Free package, ECOPACK

Výška

20.15mm

Řada

H

Automobilový standard

Ne

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.