STMicroelectronics IGBT STGF20H60DF Typ N-kanálový 40 A 600 V, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

324,56 Kč

(bez DPH)

392,72 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 29. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 2064,912 Kč324,56 Kč
25 - 4563,134 Kč315,67 Kč
50 - 12061,454 Kč307,27 Kč
125 - 24559,972 Kč299,86 Kč
250 +58,44 Kč292,20 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
791-9349
Výrobní číslo:
STGF20H60DF
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

40A

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

167W

Typ balení

TO-220

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Řada

Trench Gate Field Stop

Normy/schválení

No

Délka

10.4mm

Výška

16.4mm

Šířka

4.6 mm

Automobilový standard

Ne

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy