IGBT STGW40V60DF N-kanálový 40 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 791-7637P
- Výrobní číslo:
- STGW40V60DF
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet 25 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
2 132,85 Kč
(bez DPH)
2 580,75 Kč
(s DPH)
Přidejte 25 jednotky/-ek pro dopravu zdarma
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 11. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 25 - 45 | 85,314 Kč |
| 50 - 120 | 76,866 Kč |
| 125 - 245 | 69,11 Kč |
| 250 + | 65,604 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 791-7637P
- Výrobní číslo:
- STGW40V60DF
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální stejnosměrný proud kolektoru | 40 A | |
| Maximální napětí emitoru/kolektoru | 600 V | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/emitor | ±20V | |
| Maximální ztrátový výkon | 283 W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Rychlost spínání | 1MHz | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Rozměry | 15.75 x 5.15 x 20.15mm | |
| Maximální pracovní teplota | +175 °C | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální stejnosměrný proud kolektoru 40 A | ||
Maximální napětí emitoru/kolektoru 600 V | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor ±20V | ||
Maximální ztrátový výkon 283 W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Rychlost spínání 1MHz | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Rozměry 15.75 x 5.15 x 20.15mm | ||
Maximální pracovní teplota +175 °C | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.