STMicroelectronics IGBT STGW20V60F Typ N-kanálový 40 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

376,43 Kč

(bez DPH)

455,48 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 5 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 30 jednotka(y) budou odesílané od 06. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 2075,286 Kč376,43 Kč
25 - 4571,532 Kč357,66 Kč
50 - 12064,318 Kč321,59 Kč
125 - 24557,896 Kč289,48 Kč
250 +55,082 Kč275,41 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
791-7621
Výrobní číslo:
STGW20V60F
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

40A

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

167W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.2V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

20.15mm

Délka

15.75mm

Řada

V

Normy/schválení

Lead free package

Šířka

5.15 mm

Automobilový standard

Ne

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy